OptoDiode社
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Opto Diode社 IRDフォトダイオード選択ポイント
検出エネルギー(波長領域): [eV or nm]
検出フォトンエネルギー(eV,) 又は 波長(nm)領域 及びティピカルな感度(量子効率QE. 又は A./W)を確認します。
・AXUVシリーズ*: 0.0124nm(100keV)~1100nm ※ 但し量子効率100%領域は、モデル(Si厚み)によって異なります。 (例)AXUV100:~4keV, AXUV20HE1:~10keV ・SXUVシリーズ*: 0.0124nm(100keV)~1100nm ※ 表層に金属(Pt他)を混入し、耐放射線性が増した反面 量子効率(感度)が低下しています。 ・UVGシリーズ: 130nm~1100nm
*軟X線~紫外線領域検出用に最適化されたSiフォトダイオードにつき、入射窓無です。
(一部UV用モデルはfused silica, suprasil2 window付)
感度は可視・NIR領域まで延びていますが、一般のフォトダイオードに比較し、可視・ NIR領域でのメリットはありません。
一方、必要な領域のみを検出するバンドパス、可視・NIR領域のブロックが必要な用途には、受光面に金属膜を蒸着したフィルター付フォトダイオードを選択可能です。
フィルター付モデル 波長範囲
AXUV100TF030 1 ~ 12 nm
AXUV100TF400 18 ~ 80 nm
SXUV100TF135 12 ~ 18 nm
光量・強度:[CW 光源/パルス光源]
光源タイプ:連続光(CW)・パルス光、光束(エネルギー密度)にマッチするシリーズ/モデルを選択します。
高エネルギーパルス光、高光束の場合は劣化による感度変化・検出上限(飽和閾値)*等を確認する必要があります。
・AXUVシリーズ: CW・低パワー/エネルギーに適しています。
※高エネルギー照射が一定量を超えると感度が低下します。
通常、CW光源、低光量の検出に推奨されます。
・SXUVシリーズ: パルス・高エネルギー、高フラックス
※継続して照射された場合も、感度はほとんど変化しません。
(例)EUVパルス光源, 高フラックスビームライン
・UVGシリーズ: UV領域パルス・CWいずれにも使用可能
(例)UVレーザー、UVランプ
*逆バイアス電圧を用いることにより、検出上限の引き上げ、リニアリティレンジの伸長が可能です。
各シリーズ・モデルにより条件が異なりますので、 詳細についてはお問い合わせ下さい。
タイプ・形状
御用途にマッチしたタイプ・形状を選択いただけます。
各形状はメーカーウェブにて。
タイプ/シリーズ | AXUV | SXUV | UVG |
---|---|---|---|
絶対値検出 Absolute Devices Transfer Standards |
● | ※ | ● |
高速応答 High Speed |
● | ● | ● |
リニアアレイ Lenear Array |
● | ||
ポジションセンシン Position Sensing |
● | ● | ● |
バンドパス Filtered Photodiode |
● | ● |
較正
IRDのフォトダイオードAXUV100Gは、米NISTにてSiフォトダイオードとしては唯一2次標準検出素子として認可されています。
EUV領域における個別較正については、以下の機関で実施されています。
◎NIST: National Institute of Standard and Technologies (米)
◎PTB: Physikalisch -Technische Bundesanstalt (独)
使用環境: [真空度] [ベーキング温度]
IRDフォトダイオードは 大気・真空・ガスの環境下で使用できます。
ガスに関してはヘリウム・アルゴン・窒素中で使用いただけますが、詳細はお問い合わせ願います。
- 真空度
AXUV/SXUV/UVGシリーズ* : ~ 10-10torr (UHV)AXUVフィルター付きフォトダイオード: ~10-7torr
※ UHV対応モデル:窓無し・セラミックパッケージ・エポキシ保護無しタイプ
EUV(共晶マウント)タイプのみ。
- ベーキング温度
AXUV/SXUV/UVGシリーズ:~150℃
※ 操作温度は-20℃~+80℃、
但し温度により量子効率が変動しますのでご注意ください。※フィルター付はベーキング不可。
- 洗浄
通常、hot acetone やisopropyl alcohol で数回洗浄をおこなっております。
フォトダイオードに関してはその他特別な洗浄は行っておりませんが、
10-8torr までの真空度ならそのまま使用いただくケースが多いようです。