OptoDiode社
軟X線～UV領域用IRD Siフォトダイオード
製品特長
- 窓無：軟X線～UV領域用
- フォトン絶対値検出（NIST/PTB他較正可）
- 高フラックス、パルス光源対応
- 耐放射線性
- UHV対応
- エレクトロン/イオン検出
OptoDiode社 IRD Siフォトダイオード(p-n接合)の検出範囲は、フォトンエネルギー1.12eV～100KeV (λ:1100nm ～0.0124nm)、低エレクトロン・イオンエネルギーに及びます。
UV、EUV、軟X線領域に於ける絶対値測定(NIST、PTB他の研究機関にて較正)が容易に行える検出素子として、高エネルギー研究分野・EUV関連開発用途で定評があります。
ラインナップ
| シリーズ |
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| AXUV | 100%IQE SiO2層6-8nm フォトン検出領域 0.0124nm-1100nm 低エネルギー エレクトロン・イオン検出 |
|---|---|
| UVG | 100%IQE SiO2層40-150nm フォトン検出領域 140nm-1100nm |
| SXUV | Radiation hardness metal silicide 層 7nm高フラックスフォトン及びUV/EUVパルス光源・高エネルギー密度＞0.1μJ/cm2パルス検出用 |
| タイプ |
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| ● 絶対値検出用 | |
| ● 高速応答 | |
| ● リニアアレイ | |
| ● 4分割ポジションセンシング | |
| ● フィルター蒸着 | |
| 周辺エレクトロニクス・付属品 | |
| プリアンプ：AXUV100G用、16ELG用、20ELG用 | |
| ソケット：セラミックソケット、BNC変換ソケット | |
