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Opto Diode社の軟X線〜UV領域用IRD Siフォトダイオード(IRD)

XUV・EUV・VUV・UV領域用Siフォトダイオード

Opto Diode社の軟X線〜UV領域用IRD Siフォトダイオード(IRD)

IRD*Siフォトダイオード(p-n接合)の検出範囲は、フォトンエネルギー1.12eV〜100KeV(λ:1100nm 〜0.0124nm)、低エレクトロン・イオンエネルギーに及びます。
UV、EUV、軟X線領域に於ける絶対値測定(NIST、PTB他の研究機関にて較正)が容易に行える検出素子として、高エネルギー研究分野・EUV関連開発用途で定評があります。
*旧IRD(International Radiation Detectors)社製品は、2011年1月よりIRDブランドとしてOpto Diode社から提供されています。

IRD社の軟X線〜UV領域用Siフォトダイオード

Opto Diode社の軟X線~UV領域用IRD Siフォトダイオード(IRD)◯窓無:軟X線〜UV領域用
◯フォトン絶対値検出(NIST/PTB他較正可)
◯高フラックス、パルス光源対応
◯耐放射線性
◯UHV対応
◯エレクトロン/イオン検出
◯カスタムデザイン対応

IRD社の軟X線〜UV領域用Siフォトダイオード

◯X線プラズマ、X線〜UVレーザー
◯X線天文学(スペースミッション)、X線分光
◯放射光X線ビームライン
◯EUVリソグラフィー
◯エレクトロンビームモニター

IRD社の軟X線〜UV領域用Siフォトダイオード
IRD Siフォトダイオード IRD Webサイトはこちら
シリーズ AXUV 100%IQE SiO2層6-8nm
フォトン検出領域 0.0124nm-1100nm
低エネルギー エレクトロン・イオン検出
UVG 100%IQE SiO2層40-150nm
フォトン検出領域 140nm-1100nm
SXUV Radiation hardness metal silicide 層 7nm
高フラックスフォトン及びUV/EUVパルス光源・
高エネルギー密度>0.1μJ/cm2パルス検出用
タイプ ●絶対値検出用
●高速応答
●リニアアレイ
●4分割ポジションセンシング
●フィルター蒸着(材質・バンドパス領域選択可
●ピンホール・スリット付き
周辺エレクトロニクス・付属 プリアンプ:CW光源検出用/パルス光源検出用
バイアスティ:パルス光源検出用
ソケット:テフロン・セラミック
製品選択ガイド製品選択ガイド

Opto Diode社の軟X線~UV領域用IRD Siフォトダイオード(IRD)
↑カスタムフォトダイオード対応↑

Opto Diode社の軟X線~UV領域用IRD Siフォトダイオード(IRD)


Opto Diode Corp.

オプトダイオード社
米国 カリフォルニア州