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製品情報

IRD社フォトダイオード選択ポイント

IRD社のフォトダイオードの選択ポイントには、以下のようなポイントがあります。
(クリックで詳細に飛びます)
検出エネルギー(波長領域) 光量・強度
タイプ・形状 較正
使用環境  

[ ]の数値をご連絡いただければ最適なモデルを推奨させていただくことも可能です。

■ 検出エネルギー(波長領域): [eV or nm]

フォトダイオード選択ポイントの検出フォトンエネルギー

□ 検出フォトンエネルギー(eV,) 又は 波長(nm)領域 及びティピカルな感度(量子効率QE. 又は A./W)を確認します。

○ AXUVシリーズ: 0.0124nm(100keV)〜1100nm*
※ 但し量子効率100%領域は、モデル(Si厚み)によって異なります。
(例)AXUV100:〜4keV, AXUV20HE1:〜10keV
○ SXUVシリーズ: 0.0124nm(100keV)〜1100nm*
※ 表層に金属(Pt他)を混入し、耐放射線性が増した反面 量子効率(感度)が低下しています。
○ UVGシリーズ: 130nm〜1100nm
*軟X線〜紫外線領域検出用に最適化されたSiフォトダイオードにつき、入射窓無です。
(一部UV用モデルはfused silica, suprasil2 window付)
 感度は可視・NIR領域まで延びていますが、一般のフォトダイオードに比較し、可視・NIR領域でのメリットはありません。

一方、必要な領域のみを検出するバンドパス、可視・NIR領域のブロックが必要な用途には、受光面に用途に合った金属膜を蒸着した [フィルター付フォトダイオード] を選択可能です。

(例)EUV領域用フィルター付AXUV100&AXUV20
(例)EUV領域用フィルター付AXUV100 & AXUV20

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■ 光量・強度:
[CW 光源−beam size, W/cm2, photons/cm2/sec],
[パルス光源−beam size, J/cm2, photons/pulse, nm: pulse width, Hz: pulse frequency]
□光源タイプ:連続光(CW)・パルス光、光束(エネルギー密度)にマッチするシリーズ/モデルを選択します。
高エネルギーパルス光、高光束の場合は劣化による感度変化・検出上限(飽和閾値)*等を確認する必要があります。
○ AXUVシリーズ: CW・低パワー/エネルギーに適しています。
※高エネルギー照射が一定量を超えると感度が低下します。
  通常、CW光源、低光量の検出に推奨されます。 
○ SXUVシリーズ: パルス・高エネルギー、高フラックス
※継続して照射された場合も、感度はほとんど変化しません。
(例)EUVパルス光源, 高フラックスビームライン
○ UVGシリーズ: UV領域パルス・CWいずれにも使用可能
(例)UVレーザー、UVランプ
*逆バイアス電圧を用いることにより、検出上限の引き上げ、リニアリティレンジの伸長が可能です。
 各シリーズ・モデルにより条件が異なりますので、 詳細についてはお問い合わせ下さい。
 (参考) 高パルスエネルギー検出上限 100μJ :
      SXUV100RPD(耐放射線強化モデル+BT250(バイアス150V)
      100μJ以上のパルスエネルギーについては、減光メッシュを
      組み合わせたSXUV100 mj を提供可能です。

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■ タイプ・形状

御用途にマッチしたタイプ・形状を選択いただけます。
各形状はカタログ・メーカーウェブにて

タイプ/シリーズ AXUV SXUV UVG
絶対値検出 Absolute Devices Transfer Standards
高速応答 High Speed
リニアアレイ Lenear Array    
ポジションセンシン Position Sensing
バンドパス Filtered Photodiode  

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■ 較正

IRDのフォトダイオードは、米NISTにてSiフォトダイオードとしては唯一2次標準検出素子として認可され、AXUV100G感度データがウェブに公開されています。

ロット間誤差は通常±5%以内であるため、AXUVAbsolute Devices/Transfer Standards シリーズはこのデータを参照いただけます。
 ◎NIST: National Institute of Standard and Technologies (米)

一方、フィルター付フォトダイオード、SXUVシリーズに関しては各ロット間の誤差が大きくなるため、絶対値が求められる用途には、個別較正が以下の期間で実施されています。
 ◎PTB: Physikalisch -Technische Bundesanstalt (独)

AXUV100/AXUV100G(5nm 〜 33nm)については
 ◎AIST: 産業技術総合研究所 
 ◎計測標準研究部門 量子放射科 放射線標準研究室
にて較正可能です。

較正データ
較正バッチ: NIST(PTB)で較正済ユニットと同じロット(添付される較正データとの誤差は±2%以内)をご用意できる場合もありますので、お問い合わせ下さい。

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■ 使用環境: [真空度] [ベーキング温度]

IRDフォトダイオードは 大気・真空(〜UHV*)・ガスの環境下で使用できます。 
ガスに関してはヘリウム・アルゴン・窒素中で使用いただけますが、詳細はお問い合わせ願います。

□真空度
 AXUV/SXUV/UVGシリーズ* : 〜 10-10torr (UHV)
  ※ 使用になられる真空度をお知らせ下さい。
   ワイヤーボンド部エポキシ保護有無を確認させていただきます。
 AXUVフィルター付きフォトダイオード: 〜10-7torr
□ベーキング温度 
 AXUV/SXUV/UVGシリーズ*:〜200℃ 
 ※ 操作温度は−200℃〜+70℃、
   但し温度により量子効率が変動しますのでご注意ください。
 AXUV-100HYB1(HYBV)アンプ:〜125℃  
 テフロンソケット :〜200℃
 * UHV対応モデル:窓無し・セラミックパッケージ・エポキシ保護無しタイプ
   EUV(共晶マウント)タイプのみ。
   フィルター付は一部の材料を除き、ベーキング不可。
□洗浄
 通常、hot acetone やisopropyl alcohol で数回洗浄をおこなっております。
 フォトダイオードに関してはその他特別な洗浄は行っておりませんが、
  10-8torr までの真空度ならそのまま使用いただくケースが多いようです。
  AXUV-100HYB1(HYBV)アンプは、メーカーにて10-2torr・125℃で
  24時間ベーキングされています。
SMA/Kapton	cable
SMA/Kapton cable(供給元:有限会社ワイテック)

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